解离$H_2^+$中由光电子对其源的反作用引起的电子局域化
原子物理
2016-01-28 v1 原子与分子团簇
摘要
我们研究在能量接近阈值的光子单电离后，解离为质子和的过程。我们发现，在沿基态解离的情况下，和并非对称出现。相反，可观察到倾向于在向逃逸光电子的方向上弹出。这种对称性破缺在极小的电子能量下最强。我们的实验与Serov和Kheifets最近的理论预测一致[Phys. Rev. A 89, 031402 (2014)]。在他们将光电子作经典处理的模型中，对称性破缺是由长程库仑势对解离中的反作用引起的。
引用
@article{arxiv.1601.06012,
title = {Electron localization in dissociating $H_2^+$ by retroaction of a photoelectron onto its source},
author = {M. Waitz and D. Aslitürk and N. Wechselberger and H. K. Gill and J. Rist and F. Wiegandt and C. Goihl and G. Kastirke and M. Weller and T. Bauer and D. Metz and F. P. Sturm and J. Voigtsberger and S. Zeller and F. Trinter and G. Schiwietz and T. Weber and J. B. Williams and M. S. Schöffler and L. Ph. H. Schmidt and T. Jahnke and R. Dörner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.06012},
year = {2016}
}
备注
Accepted for publication in Phys.Rev.Lett. 1/11/2016