电子-电子松弛对直接带隆半导体 Auger 复合的影响
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了电子-电子松弛过程对直接带隆半导体中 Auger 复合速率的影响。提供了载流子-载流子与载流子-声子松弛过程的比较。我们发现，只有当载流子自由路径长度不超过临界值时，松弛过程才是必需的，该临界值随温度呈指数级增长。为了说明所得结果，选取了典型的 InGaAsP 合金。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101328,
title = {Electron-Electron Relaxation Effect on Auger Recombination in Direct Band Semiconductors},
author = {Anatoli Polkovnikov and Georgy Zegrya},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101328},
year = {2007}
}