有机发光二极管中电子-空穴复合的电子关联效应

我们发展了有机发光二极管中电子-空穴复合的普遍理论，该复合过程导致发射型单重态激子和非发射型三重态激子的形成。我们简要回顾了其他现有理论，并展示了我们的方法与这些理论的本质区别。利用长程相互作用模型内链间/分子间电荷转移的精确含时方法，我们发现：聚合物中单重态激子的相对产率远高于统计考虑所预测的25%；低聚物中单重态激子产率随链长增加而增加；在含氮杂原子的小分子中，单重态激子的相对产率要小得多，甚至可能接近25%。上述结果与双链系统哈密顿量链间部分是否包含键电荷排斥项X_perp无关。碳基长链聚合物中单重（三重）态激子产率较高（较低）是其离子（共价）性质及较小（较大）结合能的共同结果。在含氮单体中，波函数更接近非相互作用极限，这降低（增加）了单重（三重）态激子的相对产率。我们的结果与涉及分子和聚合物发光体的电致发光实验在定性上一致。此处发展的用于描述分子间电荷转移过程的含时方法完全普适，可应用于许多其他类似过程。