光激发铋中的电子冷却与 Debye-Waller 效应
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
通过第一性原理计算，我们计算了控制光激发铋中电子冷却的有效电子 - 声子耦合常数 。 随电子温度强烈增加，这可归因于铋的半金属性质。我们还利用热力学模型计算了激光激发后电子和晶格温度的时间演化。据此，我们模拟了 Sciaini 等人 [Nature 458, 56 (2009)] 在飞秒电子衍射实验中测得的 (1 -1 0)、(-2 1 1) 和 (2 -2 0) Bragg 峰强度的时间演化。结果表明，电子温度通过整个 Brillouin 区所有光学模式的软化对 Debye-Waller 因子的影响，对于重现这些 Bragg 峰强度的时间演化至关重要。
引用
@article{arxiv.1210.4777,
title = {Electron cooling and Debye-Waller effect in photoexcited bismuth},
author = {B. Arnaud and Y. Giret},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.4777},
year = {2015}
}