电子与空穴掺杂对A位有序NdBaMn$_2$O$_6$的影响
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
我们研究了电子和空穴掺杂对A位有序钙钛矿锰氧化物NdBaMnO的影响，该材料具有A型（层状）反铁磁（AFM）基态。电子（空穴）通过用Nd（Ba）部分取代Ba（Nd）引入。电子掺杂在A型AFM基体中产生铁磁（FM）团簇。随着电子掺杂水平的提高，FM相的体积分数或FM团簇的数量急剧增加。相比之下，A型AFM相对空穴掺杂具有鲁棒性，在空穴掺杂的NdBaMnO中未观察到FM关联。
引用
@article{arxiv.1105.2366,
title = {Electron- and Hole-Doping Effects on $A$-site Ordered NdBaMn$_2$O$_6$},
author = {Yasuhiro Miyauchi and Mitsuru Akaki and Daisuke Akahoshi and Hideki Kuwahara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2366},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures, to be published in Journal of the Physical Society of Japan