基于势的边界元公式从直流到高频对有损互连的电磁建模
计算工程、金融与科学
2022-08-31 v1
摘要
低中与高频物理的精确电磁建模在电气互连的信号与电源完整性分析中至关重要。边界元法（BEM）对于有损导体建模颇具吸引力，因为它仅通过结构的基于表面的离散化即可捕捉趋肤深度随频率的变化。传统 BEM 公式依赖电场与磁场的相互耦合，并在低频时变得不准确或不稳定。我们开发了一种基于势的新全波 BEM 公式，可精确建模从确切直流到甚高频的有损导体。提出了一组新的简单边界条件以及修正洛伦兹规范，以确保所提公式具有直至直流的稳定条件数。此外，将基于势的积分方程与电路模型耦合可便捷提取网络参数。芯片与封装层面的真实数值示例证明了所提方法从直流到高频的精度与稳定性，超越了基于场的先进 BEM 公式的能力。
引用
@article{arxiv.2112.07360,
title = {Electromagnetic Modeling of Lossy Interconnects From DC to High Frequencies With a Potential-Based Boundary Element Formulation},
author = {Shashwat Sharma and Piero Triverio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.07360},
year = {2022}
}
备注
Submitted to the IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques