高电场下铜纳米尖稳定性的电动力学-分子动力学模拟
材料科学
2016-04-22 v2
摘要
铜纳米线中的形状记忆效应和伪弹性是一可能对机制，阻止高长径比纳米级场电子发射体在室温下保持稳定，并允许其在高电场下生长。通过采用杂化电动力学-分子动力学模拟，我们表明1 GV/m或更大的全局电场显著提高了纳米级<100>铜场发射体自发重新取向的稳定性和临界温度。我们还表明，在所研究的尖峰中，外部施加电场的稳定效应比场发射电流引起的失稳效应大一个数量级。我们利用能识别晶体结构变化的工具检测自发重新取向的临界温度。该方法与考虑势能变化的技术兼容，具有更广的适用范围，并允许精确定位重新取向过程中的不同阶段。
引用
@article{arxiv.1601.00407,
title = {Electrodynamics - molecular dynamics simulations of the stability of Cu nanotips under high electric field},
author = {Mihkel Veske and Stefan Parviainen and Vahur Zadin and Alvo Aabloo and Flyura Djurabekova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00407},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 8 figures