中文

近压紧 CVD 双层石墨烯层堆积壁的电可调磁导率

介观与纳米尺度物理 2024-06-12 v1 材料科学

摘要

量子谷际霍尔(QVH)域壁状态是一类在谷际混合不存在时受拓扑保护的一种维度为一的(1D)单向导体。单一QVH通道的开发引出了新的重要问题:QVH通道在彼此靠近的空间位置如何相互作用,以及这种相互作用如何被控制。可扩展的 epitaxial 双层石墨烯合成产生层堆积壁(LSW)束,其中QVH通道被束缚,为研究QVH通道相互作用提供了优异平台。本文我们表明,不同的应变源导致形成既有分离的LSW也有靠近的LSW束。对这两种体制下电子传输的比较研究表明,靠近的LSW束支持可电调制的磁导率。不同应变源的共存为实现基于LSW的可扩展量子传输平台提供了潜在途径,其中电可调性使可编程功能成为可能。

关键词

引用

@article{arxiv.2406.06867,
  title  = {Electrically Tunable Magnetoconductance of Close-Packed CVD Bilayer Graphene Layer Stacking Walls},
  author = {Qicheng Zhang and Sheng Wang and Zhaoli Gao and Sebastian Hurtado-Parra and Joel Berry and Zachariah Addison and Paul Masih Das and William M. Parkin and Marija Drndic and James M. Kikkawa and Feng Wang and Eugene J. Mele and A. T. Charlie Johnson and Zhengtang Luo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2406.06867},
  year   = {2024}
}