L10 FePt 单层中垂直磁化的电学翻转
材料科学
2020-07-01 v1
摘要
磁化的电学操控对于将磁存储器与磁逻辑器件等磁功能集成到电子电路中至关重要。重金属/铁磁体(HM/FM)双层中通过 HM 内的自旋霍尔效应和/或界面处的 Rashba 效应产生的电流诱导自旋轨道转矩(SOT)提供了一种高效的磁化翻转方式。同时,电流诱导 SOT 也被用于翻转具有全局或局域破缺反演对称性的单层(如铁磁半导体 (Ga,Mn)As 和反铁磁金属 CuMnAs)中的面内磁化。在此我们展示了 L10 FePt 单层中电流诱导的垂直磁化翻转。L10 FePt 中电流诱导的自旋轨道有效场随化学有序参数(S)增大而增大。在具有高 S 的 20 nm FePt 薄膜中,我们观察到大的电荷-自旋转换效率以及低至 7.0E6 A/cm2 的翻转电流密度。我们预期我们的发现可激发对体垂直磁各向异性材料中自旋轨道转矩的探索以及高效单层 FM 中垂直磁化翻转的应用。
引用
@article{arxiv.1807.08244,
title = {Electrical switching of perpendicular magnetization in L10 FePt single layer},
author = {Liang Liu and Jihang Yu and Rafael González-Hernández and Jinyu Deng and Weinan Lin and Changjian Li and Chenghang Zhou and Tiejun Zhou and Herng Yau Yoong and Qing Qin and Han Wang and Xiufeng Han and Bertrand Dupé and Jairo Sinova and Jingsheng Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.08244},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 4 figures