CoTb 非晶单层中的电流诱导磁化翻转
材料科学
2020-06-19 v1
摘要
我们展示了具有垂直磁各向异性（PMA）的非晶 CoTb 单层薄膜的自旋轨道力矩（SOT）翻转。即使薄膜厚度超过 10 nm，该翻转依然保持，此时临界翻转电流密度几乎保持不变。由于不需要克服由重金属引起的强界面 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用，仅需约 20 Oe 的极低辅助场即可实现完全翻转。SOT 有效场随着 Tb 浓度的降低而减小并经历符号变化，这意味着 Co 和 Tb 的自旋霍尔效应以及不对称自旋电流吸收共同构成了 SOT 翻转机制。我们的发现将推动具有体 PMA 的磁性材料在节能且热稳定的非易失性存储器中的应用，并为理解非晶薄膜中的有序和不对称性增加了一个不同的维度。
引用
@article{arxiv.2006.10319,
title = {Current-induced magnetization switching in CoTb amorphous single layer},
author = {R. Q. Zhang and L. Y. Liao and X. Z. Chen and T. Xu and L. Cai and M. H. Guo and Hao Bai and L. Sun and F. H. Xue and J. Su and X. Wang and C. H. Wan and Hua Bai and Y. X. Song and R. Y. Chen and N. Chen and W. J. Jiang and X. F. Kou and J. W. Cai and H. Q. Wu and F. Pan and C. Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.10319},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 4 figures, Phys. Rev. B 101, 214418 (2020)