磁隧道结中斯格明子的电学探测
介观与纳米尺度物理
2018-03-14 v1
摘要
我们从理论上研究了一种在磁隧道结（MTJ）构型中探测单个斯格明子的方法。利用隧穿哈密顿量方法，我们计算了斯格明子-铁磁体双层系统的隧穿磁阻（TMR）比。我们表明，只要系统足够洁净使得谱展宽小于局域与巡游磁矩之间的交换耦合，TMR 比就仅由斯格明子的自旋构型与器件的几何因子决定。在此情形下，当斯格明子直径与器件尺寸相当时，TMR 比可达 或更高。由于该判据在实际系统中易于满足，MTJ 构型可作为单个斯格明子电学探测的良好候选方案，即未来斯格明子存储器中信息的读取过程。
引用
@article{arxiv.1803.04588,
title = {Electrical detection of a skyrmion in a magnetic tunneling junction},
author = {Keita Hamamoto and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.04588},
year = {2018}
}