电场控制反沉默拓扑绝缘体 sandwich 结构中内在非线性霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2024-10-28 v1 材料科学
摘要
非线性霍尔效应（NHE）可源自于反沉默拓扑材料中量子度量机制，这一现象在 MnBi2Te4 中已被实验观察到。本文我们提出，通过外部电场破坏反沉默对称性可导致NHE显著增强，从而实现对NHE的电控。微观机制方面，破坏反沉默对称性可解除Kramers对的自旋简并，导致单个Kramers对能带中出现额外贡献。我们通过描述反沉默拓扑绝缘体 sandwich 结构的模型哈密顿量来证明这一增强效应。
引用
@article{arxiv.2406.02738,
title = {Electrical control of intrinsic nonlinear Hall effect in antiferromagnetic topological insulator sandwiches},
author = {Ruobing Mei and Daniel Kaplan and Binghai Yan and Cui-Zu Chang and Chao-Xing Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.02738},
year = {2024}
}