强量子限域硅量子点中的高效激子输运
介观与纳米尺度物理
2011-11-01 v1 材料科学
光学
摘要
利用一阶微扰理论和多体格林函数分析，量化了尺寸、表面重构和表面处理对小尺寸硅量子点间激子输运的影响。同时考虑了竞争性辐射过程，以确定它们如何影响激子输运效率。分析表明，量子限域效应使得小尺寸（约 1 nm）硅量子点表现出远超其大尺寸对应物的激子输运效率。我们还发现，表面重构显著影响吸收截面，并导致输运速率和效率大幅降低。与终止于电负性更强配体的量子点相比，氢钝化量子点的激子输运效率更高。这是因为此类配体使电子波函数向表面离域，从而导致偶极矩降低。这种行为无法由基于偶极 - 偶极近似的 F\"orster 理论预测，因为高阶多极子在激子动力学中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1110.6456,
title = {Efficient Exciton Transport in Strongly Quantum-Confined Silicon Quantum Dots},
author = {Zhibin Lin and Huashan Li and Alberto Franceschetti and Mark T. Lusk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6456},
year = {2011}
}