用于磁移位寄存器的高效可控畴壁成核
介观与纳米尺度物理
2017-09-21 v1
摘要
具有高垂直各向异性的超薄铁磁条已被提议用于开发将信息编码在由畴壁分隔的微小磁畴中的存储器件。实用器件的设计需要在铁磁条中创建、操控和检测畴壁。最近的观察表明，在缺乏结构对称性的多层膜中存在高效的电流驱动畴壁动力学，其中畴壁采用手性结构并可以高速驱动。然而，将此类器件付诸实践需要以连续且同步地注入畴壁作为第一步。在此，我们提出并演示了一种利用自旋轨道力矩对称性的高效且简单的畴壁成核方案。将一系列短的亚纳秒电流脉冲注入双位线中，以在铁磁条中产生局域的纵向 Oersted 场。同时，其他电流脉冲通过铁磁条下方的重金属层注入。值得注意的是，由 Oersted 场辅助的 Slonczewski 类自旋轨道力矩允许一系列畴壁的可控注入，从而产生一种写入二进制信息的受控方式，进而促成了一种简单高效的畴壁移位寄存器的设计。
引用
@article{arxiv.1709.06753,
title = {Efficient and controlled domain wall nucleation for magnetic shift registers},
author = {Oscar Alejos and Victor Raposo and Luis Sanchez-Tejerina and Eduardo Martinez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.06753},
year = {2017}
}