应变可调谷对铋中电荷输运的影响

谷自由度的调控可推动基于谷电子学的新型功能器件的技术发展。当前谷电子学的主流平台是制备具有反演不对称性的单层材料，其中通过衬底的应变-能带工程可改善谷基器件性能。然而，精确确定应变的有效作用对于精准设计所需谷结构不可或缺。在此，我们展示了具有三个等价电子谷和一个空穴谷的体相铋晶体在连续可控外应变下的电荷输运。电阻的应变响应，即弹阻，随温度降低在反对称与对称通道中均呈现演化。弹阻行为主要反映了依赖于所诱导应变对称性的谷密度的显著变化，这由我们的应变依赖量子振荡测量和应变下的第一性原理能带计算所证实。这些事实表明通过应变依赖的电荷谷输运成功调控并评估了谷布居。