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URu$_2$Si$_2$ 中 $A_{2g}$ 拉曼信号的有效模型

强关联电子 2020-05-20 v5

摘要

我们提出一个有效模型来描述 URu2_{2}Si2_{2} 化合物中拉曼散射实验的 A2gA_{2g} 信号。我们遵循 Khveshchenko 和 Wiegmann [Phys. Rev. Lett. 73, 500 (1994)] 早先提出的方案来计算 A2gA_{2g} 散射顶点。我们提取两点电流-电流关联函数的虚部,并将其直接与拉曼响应进行比较。由于局域交错序与可能的量子自旋液体行为之间的相互作用,我们在 A2gA_{2g} 通道获得了一个非弹性峰。我们的结果为 URu2_{2}Si2_{2} 化合物中隐藏序相的电子拉曼散射实验 [Phys. Rev. Lett. 113, 266405 (2014)] 提供了解释。

关键词

引用

@article{arxiv.1710.08942,
  title  = {Effective model for $A_{2g}$ Raman signal in URu$_2$Si$_2$},
  author = {Carlene Silva de Farias and Marie-Aude Méasson and Alvaro Ferraz and Sébastien Burdin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08942},
  year   = {2020}
}

备注

5 figures,11 pages; updated of affiliation, updated author; updated figures