应变硅薄膜和晶体中的有效质量异常
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
我们首次利用第一性原理计算研究了硅纳米结构中由几何效应引起的有效质量异常。在{111}和{110}双轴应变硅中，发现纵向有效质量在薄膜和晶体中均被异常增强。这种质量增强是由应变和约束导致的能带结构从双最小值变为单最小值引起的。在转变点，解析证明有效质量发散。约束厚度对异常的影响可通过有效质量近似的扩展进行定性解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701372,
title = {Effective mass anomalies in strained Si thin films and crystals},
author = {Jun Yamauchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701372},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures, submitted to Phys. Rev. Lett