螺旋晶体中拓扑保护量子比特的有效哈密顿量
介观与纳米尺度物理
2023-11-21 v1
摘要
我们研究由置于磁场中的二维拓扑绝缘体内周期性排布、经隧穿耦合的相同反点所形成的超晶格。该超晶格能谱可由栅电极控制，或通过改变反点中的磁通量来控制。我们证明，在具有不同磁通量的两个区域之间的边界上会出现一个拓扑保护的量子比特。该量子比特的性质取决于边界上磁通跳跃的值，并可由栅电压调控。我们推导了此类量子比特的有效哈密顿量，并分析了其性质对超晶格主要参数的依赖关系：反点间的隧穿耦合，以及发生自旋翻转跳跃的概率。
引用
@article{arxiv.2311.11748,
title = {Effective Hamiltonian of topologically protected qubit in a helical crystal},
author = {R. A. Niyazov and D. N. Aristov and V. Yu. Kachorovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.11748},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 2 figures