自旋弛豫对双层结构自旋混合电导的影响
介观与纳米尺度物理
2018-02-07 v1 量子物理
摘要
在普通金属（NM）|铁磁绝缘体（FMI）或普通金属（NM）|铁磁金属（FMM）双层中，自旋流可产生自旋转移矩。在早先关于此问题的研究中，自旋弛豫被忽略或以唯象方式引入。本文中，考虑由非厄米哈密顿量描述、具有自旋弛豫的 FMM 或 FMI，我们在非厄米双层中推导了有效的自旋转移矩与有效的自旋混合电导。给出并讨论了有效自旋混合电导对系统参数（如绝缘能隙、\textit{s-d} 耦合和层厚）的依赖关系，以及有效自旋混合电导的实部与虚部之间的关系。我们发现，在非厄米系统中有效自旋混合电导可得到增强。这为我们提供了增强自旋混合电导的可能性。
引用
@article{arxiv.1802.02058,
title = {Effect of spin relaxations on the spin mixing conductances for a bilayer structure},
author = {D. X. Li and H. Z. Shen and H. D. Liu and X. X. Yi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.02058},
year = {2018}
}