屏蔽效应对双层石墨烯/AlGaAs 电子气 Seebeck 系数的影响
介观与纳米尺度物理
2025-08-07 v1 应用物理
摘要
Seebeck 系数的了解是优化热电材料和确定其合适应用的关键因素。高度对结构变化的敏感性使热电功率测量成为研究给定材料电荷传输性质的绝佳技术。本研究考察了温度依赖的屏蔽效应对双层石墨烯(BLG)-AlGaAs准二维电子气(q2DEG)系统中由声子诱导 Seebeck 系数 S^g 的影响，温度低于 50 K。BLG 层与来自 AlGaAs/GaAs 的形变势 acoustic 声子和更强 piezoelectric 场 acoustic 声子进行相互作用。我们比较了 BLG 与无 q2DEG 屏蔽情况下的电子-声子相互作用。屏蔽效应在低温尤为显著，随载流子密度在 BLG 层中表现出强烈依赖性。双层屏蔽函数随层间距离 d 增大而增加，与单层屏蔽在大 d 时趋于一致。此外，改变 GaAs 量子阱宽度发现宽度小于 100 Å 时双层屏蔽函数随宽度增大而增大，但超过此阈值后保持不变，而单层屏蔽随宽度增大而减小。当 BLG 载流子密度低于 q2DEG 时，两种屏蔽函数都会增强，尽管二者之间的幅度差异最小。
关键词
引用
@article{arxiv.2508.04184,
title = {Effect of screening on Seebeck coefficient in bilayer graphene/AlGaAs electron gas},
author = {Vo Van Tai and Nguyen Duy Vy and Truong Van Tuan and Nguyen Quoc Khanh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.04184},
year = {2025}
}