最低朗道层1/2填充处复合费子再探讨

通过严格遵循复合费子理论处理朗道层填充分数 $\nu_e = p/(2p+1)$，我们准确再现了Willett等人关于接近 $\nu_e \approx 1/2$ 的二维电子体系的声表面波( SAW )实验结果。我们的结果表明，电子带质量 $m_b$ 必须在 $\nu_e \approx 1/2$ 的条件下显著增加，这与Shashkin等人[Phys. Rev. B 66, 073303 (2002)]关于硅中二维电子体系的实验结果一致，该实验显示当电子密度 $n_e$ 降至约 $2 \times 10^{11}$ cm$^{-2}$ 时，$m_b$ 出现明显增大。我们进一步确立，平均自由路径 $l_0$ 是观察到的纵向导电率 $\sigma_{xx}(q)$ 线性关系必不可少，这一关系可从SAW速度偏移中推断得出。