单量子阱中单层厚度涨落对相干激子耦合的影响
介观与纳米尺度物理
2012-10-05 v1 量子物理
摘要
半导体量子阱 (QW) 厚度的单层涨落导致了三种类型的激子，分别位于 QW 较窄、平均和较厚的区域，这些在光谱中可清晰分辨。这些激子是否通过库仑相互作用发生相干耦合是一个长期存在的争议。我们证明了 QW 中不同类型的无序会显著影响相干耦合，并且可以使用光学二维傅里叶变换光谱技术定量测量耦合强度。我们在实验和理论上证明，在窄量子阱中，相干耦合主要发生在位于 QW 无无序区域的激子与位于平台型无序区域的激子之间。相比之下，局域在缺陷型无序势中的激子不会与其他激子发生相干耦合。
引用
@article{arxiv.1210.1493,
title = {Effect of Monolayer Thickness Fluctuations on Coherent Exciton Coupling in Single Quantum Wells},
author = {Yuri D. Glinka and Zheng Sun and Mikhail Erementchouk and Michael N. Leuenberger and Alan D. Bristow and Steven T. Cundiff and Allan S. Bracker and Xiaoqin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.1493},
year = {2012}
}
备注
5 paages, 4 figures, journal submission