无序对薄 Cu(Mn) 薄膜的 Kondo 行为的影响
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了无序对薄 Cu(Mn) 薄膜 Kondo 效应的影响，即掺杂少量 Mn 的 Cu。我们发现，当弹性平均自由程 减小时，Kondo 贡献对电阻的影响被抑制。虽然这在定性上与我们先前在不同材料中发现的结果类似，但新的实验结果揭示了这种抑制如何依赖于薄膜厚度和 。这些结果与 Martin、Wan 和 Phillips 的理论进行了比较。虽然该理论与实验结果在定性上大体一致，但在定量上似乎存在一些差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9901092,
title = {Effect of disorder on the Kondo behavior of thin Cu(Mn) films},
author = {T. M. Jacobs and N. Giordano},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9901092},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 3 figures