退相干对电压偏置单库珀对晶体管中共振库珀对隧穿的影响

我们分析了退相干如何在电压偏置单库珀对晶体管的 I-V 特性中显现。特别研究了其对共振单库珀对或多库珀对隧穿的影响。我们同时考虑了对称和非对称晶体管。作为退相干源，我们使用了与晶体管串联的小电阻抗（Re[Z(w)]<<R_Q=h/4e^2），它提供了电压的热涨落和量子涨落。额外的退相干源包括穿过约瑟夫森结的准粒子隧穿以及由岛附近杂散电荷涨落体引起的量子 f-噪声。该分析基于实时图技术，该技术包含了电荷传输中的类芝诺效应，其中强退相干导致隧穿减慢。与问题的泡利主方程处理相比，目前的结果与实验更一致，实验中由于退相干，许多预测的尖锐共振结构缺失或减弱。