能隙对量子比特退相干的影响

我们重新研究了与传导电子浴耦合的中心自旋的退相干与弛豫问题。我们同时考虑了金属浴和半导体浴，以研究浴态密度（DOS）中的能隙对中心自旋密度矩阵随时间演化的影响。我们使用两种弱耦合近似方案来研究退相干。在低温下，尽管金属浴情况下的退相干率温度依赖性与浴的细节无关，但对于半导体浴而言情况并非如此。我们还计算了在中心自旋和浴上同时施加外部磁场时的弛豫率和退相干率。我们发现在存在能隙的情况下，存在特定的磁场区间，令人惊讶的是，在该区间内金属浴的弛豫率和退相干率低于半导体浴。