双层磷烯中的边缘态与本征空穴掺杂
介观与纳米尺度物理
2014-12-11 v1
摘要
利用 Harrison 提出的简单 LCAO 模型，我们定性研究了双层磷烯（黑磷层状晶体的基本结构单元）的边缘态。该模型成功复现了单层磷烯体带隙中孤立的边缘态。然而，在双层磷烯中，结果显示边缘态几乎埋入价带，且在锯齿形边缘处不存在孤立的带隙中间边缘态。由于被埋入的边缘态起到受主作用，空穴从边缘态掺杂到体相中。这为未掺杂黑磷中的 p 型导电提供了一种可能的解释。在垂直电场作用下，由于部分边缘态移入带隙，本征空穴掺杂减少。双层磷烯的这些特性可能更适合器件应用。
引用
@article{arxiv.1410.7873,
title = {Edge State and Intrinsic Hole Doping in Bilayer Phosphorene},
author = {Toshihito Osada},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.7873},
year = {2014}
}
备注
4 figures