有机分子半导体与金属界面形成初期步骤：一种计算方法
材料科学
2020-01-22 v1
摘要
本文提出了一种用于金属与有机分子半导体界面形成初期纳米尺度形貌预测模拟的计算方法。尽管金属-分子结对于电子器件的发展十分重要，但界面处的结构细节往往难以表征。我们的方法基于密度泛函理论与生长动力学模拟方法的结合，能够揭示金聚集体在分子材料上形成的结构细节。模拟应用于研究金簇在与典型 p 型和 n 型有机分子半导体界面处形成的初始步骤。结果表明，金属-有机界面的形貌、分子结构的细节以及特殊的金属-分子相互作用之间存在显著关联，同时也凸显了制备条件的作用。
引用
@article{arxiv.2001.07635,
title = {Early steps in the formation of the interface between organic molecular semiconductors and metals: a computational approach},
author = {Francesco Mercuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07635},
year = {2020}
}