Fe5GeTe2外延薄膜中的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用
材料科学
2025-09-22 v2
摘要
范德华铁磁体（如Fe5GeTe2）为基于手性磁结构的自旋电子器件提供了一个有前景的平台，前提是能够诱导显著的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）以稳定这些结构。在此，我们利用布里渊光散射光谱直接测量了外延Fe5GeTe2薄膜中的DMI，并观察到在不同厚度下均存在一致的DMI（D=0.04 mJ/m2）。其微弱的厚度依赖性与名义上对称的薄膜界面表明其具有体起源。尽管我们未确定其微观机制，但我们的发现与将DMI与Fe分裂位点部分有序化相关联的ab initio计算相符。此外，我们发现其具有较低的磁损耗（alpha<0.02）。所观察到的DMI（可通过优化Fe位点有序化进一步增强）与低损耗相结合，使Fe5GeTe2成为探索二维材料中手性磁结构动力学的强有力候选者。
引用
@article{arxiv.2503.18689,
title = {Dzyaloshinskii-Moriya interaction in Fe5GeTe2 epitaxial thin films},
author = {J. Sampaio and A. Pascaud and E. Quero and A. Thiaville and V. Polewczyk and A. Marty and F. Bonell and A. Mougin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.18689},
year = {2025}
}