快离子损伤形成于 GaN 中的动力学屏蔽效应
材料科学
2026-02-17 v1
摘要
我们使用多尺度模型研究了快重离子在 GaN 材料中造成的损伤。该模型将蒙特卡罗模拟与分子动力学模拟相结合，用于分析材料对投射物激发所引起的响应。我们发现，最合适的仿真方法将目标原子在快速电子散射期间的电荷动力学屏蔽与描述激发目标中原子动力学的 Tersoff-Brenner 互作用势相耦合。仿真结果表明，损伤离子轨迹形成，具有含有充满氮气空洞的无定形核心。该核心被包含边位位错的受损晶体区域包围，与实验观察相符。
引用
@article{arxiv.2602.14066,
title = {Dynamical screening effects on formation of swift heavy ions damage in GaN},
author = {S. V. Moskalets and R. A. Rymzhanov and A. E. Volkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.14066},
year = {2026}
}
备注
22 pages, 11 figures, 1 table