各向异性近藤半导体的动力学平均场理论：温度和磁场依赖性

我们利用动力学平均场理论结合精确对角化方法，研究了具有$\bm{k}$依赖的$c$-$f$混合的周期安德森模型，该模型再现了杂化能隙的点节点。在低于相干温度$T_0$的低温下，发现自能的虚部正比于$T^2$，并且在$T\ll T_0$时清晰观察到具有两个特征能量$\tilde{\it \Delta}_1$和$\tilde{\it \Delta}_2$的赝能隙，而随着$T$增加，赝能隙被抹平，并在高温$T \simg T_0$时由于虚自能的演化而消失。当$f$电子之间的库仑相互作用$U$增大时，$\tilde{\it \Delta}_1$、$\tilde{\it \Delta}_2$、$T_0$以及磁化率最大处的$T_{\rm max}$均按重整化因子$Z$的比例减小，导致对于大$U$出现具有大质量增强$m^*/m=Z^{-1}$的重费米子半导体。我们还研究了外磁场$H$的影响，发现磁化强度$M$显示出两个变磁反常$H_1$和$H_2$，分别对应于$\tilde{\it \Delta}_1$和$\tilde{\it \Delta}_2$，它们由于$H$和$Z$的效应而减小。值得注意的是，$Z^{-1}$因$H$而大幅增强，尤其是在$H_1 \siml H \siml H_2$区间，此时实现了场致重费米子态。所得结果似乎与在CeNiSn等各向异性近藤半导体中观察到的实验结果一致。