半导体量子阱中三次谐波产生的动力学计算
介观与纳米尺度物理
2016-09-28 v1
摘要
光激发半导体结构中的非线性现象备受关注。我们在此建立了一个模型，能够在 Hartree-Fock 水平上研究光生载流子的动力学（包括库仑相互作用），并与照射在任意光子结构上的光场动力学置于同等地位。应用该方法计算嵌入布拉格反射镜结构的半导体量子阱中的三次谐波产生，我们发现三次谐波产生的强度依赖性的幂律指数取决于激发脉冲的频率。非共振脉冲遵循预期的三次方依赖关系，而共振脉冲由于诱导载流子密度中的饱和效应，其指数较小。我们的研究提供了对非线性过程中载流子与光场动力学的详细理解。
引用
@article{arxiv.1608.08935,
title = {Dynamical calculation of third harmonic generation in a semiconductor quantum well},
author = {Stefano Guazzotti and Andreas Pusch and Doris E. Reiter and Ortwin Hess},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.08935},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 9 figures, submitted to Physical Review B