$1\textit{T}-{\mathrm{TiSe}}_{2}$ 中等离激元对电荷密度波能带隙发展的剧烈响应
强关联电子
2022-10-27 v1
摘要
1T-TiSe2 是研究最多的电荷密度波（CDW）系统之一，这不仅因为其与 CDW 转变相关的奇特性质，还因为其作为激子绝缘体候选者的地位，而这一地位由提出的在 CDW 波矢处的等离激元软化所预示。利用高分辨率电子能量损失谱，我们报告了对 1T-TiSe2 随温度变化的等离激元行为的系统研究。我们明确地区分了等离激元与声子模式，揭示了有限动量下等离激元存在 Landau 阻尼，这不支持激子凝聚的等离激元软化图像。此外，我们发现零动量处的等离激元寿命对与 CDW 转变相关的能带隙演化有剧烈响应。在正常相中，费米能附近的带间跃迁被证明充当等离激元的强阻尼通道，而在 CDW 相中，由于 CDW 能带隙的打开，该通道受到抑制，这导致半金属或小能带隙半导体中等离激元的剧烈可调谐性。
引用
@article{arxiv.2210.14635,
title = {Dramatic Plasmon Response to the Charge-Density-Wave Gap Development in $1\textit{T}-{\mathrm{TiSe}}_{2}$},
author = {Zijian Lin and Cuixiang Wang and A. Balassis and J. P. Echeverry and S. Vasenko and V. M. Silkin and E. V. Chulkov and Youguo Shi and Jiandi Zhang and Jiandong Guo and Xuetao Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.14635},
year = {2022}
}