双层系统中带孔隙的拖力与 Hall 拖力
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们理论地研究了含有隧穿桥(孔隙)的脏二维双层系统的横电阻和 Hall 横阻。我们发现，在弱磁场下，Hall 横阻非零。在孔隙集中于样品中部的几何中，量子过程对普通横阻和 Hall 横阻均占主导贡献。由于库仑排斥、无序和隧穿之间的相互作用，量子贡献随温度降低而以奇异方式增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905029,
title = {Drag and Hall drag in a bi-layer system with pinholes},
author = {Yuval Oreg and Bertrand I. Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905029},
year = {2009}
}
备注
RevTeX, 16 pages. submitted to Phys. Rev. B