中文

双层量子霍尔系统中的反常霍尔电阻

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v1 强关联电子 高能物理 - 理论

摘要

我们基于非交换几何提出了双层量子霍尔系统中霍尔电流的微观理论。通过分析海森堡运动方程和电荷连续性方程,我们证明了在层间相位相干自发发展的系统中会出现相位电流。相位电流自组织以最小化系统的总能量,从而在逆流几何和拖拽实验中诱导霍尔电流的某些反常行为。这些结果解释了Kellogg等人[M. Kellogg, I.B. Spielman, J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer and K.W. West, Phys. Rev. Lett. \textbf{88} (2002) 126804; M. Kellogg, J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer and K.W. West, Phys. Rev. Lett. \textbf{93} (2004) 036801]和Tutuc等人[E. Tutuc, M. Shayegan and D.A. Huse, Phys. Rev. Lett. \textbf{93} (2004) 036802]在ν=1\nu =1时的反常霍尔电阻实验数据。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0701063,
  title  = {Anomalous Hall Resistance in Bilayer Quantum Hall Systems},
  author = {Z. F. Ezawa and S. Suzuki and G. Tsitsishvili},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701063},
  year   = {2009}
}

备注

11 pages, 3 figures