具有晶体场劈裂的多带 Hubbard 模型中掺杂驱动的轨道选择性 Mott 相变
强关联电子
2016-01-12 v3
摘要
我们研究了在存在晶体场劈裂的情况下,具有相等带宽的多带 Hubbard 模型中由掺杂驱动的轨道选择性 Mott 相变。晶体场劈裂提升了其中一个能带,而使其他能带保持简并。我们使用单格点动力学平均场理论结合连续时间量子蒙特卡罗杂质求解器,计算了作为总电子填充数 和晶体场劈裂 函数的相图。我们发现当掺杂足够大时,相图中存在一个大范围的轨道选择性 Mott 相区。进一步分析表明,大范围的轨道选择性 Mott 相区是由掺杂驱动并稳定的。此类模型可以解释某些掺杂的强关联实际材料中的轨道选择性 Mott 相变。
引用
@article{arxiv.1512.00275,
title = {Doping-driven orbital-selective Mott transition in multi-band Hubbard models with crystal field splitting},
author = {Yilin Wang and Li Huang and Liang Du and Xi Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00275},
year = {2016}
}
备注
One column, 11 pages, 5 figures, accepted by Chinese Physics B