铁基超导体中的掺杂团簇、电子不均匀性与涡旋钉扎
超导电性
2013-07-03 v3
摘要
我们使用扫描隧道显微镜绘制了空穴掺杂超导体SrKFeAs（=32 K）的表面结构、纳米尺度电子不均匀性和玻璃态涡旋相。我们发现低温解理表面主要由半Sr/K终止层主导，具有有序和普遍存在的超导能隙，而少数区域出现无能隙、未重构的As终止层。超导能隙在约3 nm尺度上变化，平均，处于弱耦合极限。涡旋核心尺寸提供了超导相干长度 nm的测量。我们量化了9 T下的涡旋晶格关联长度，并与几种铁基超导体进行了比较。比较结果使我们提出掺杂剂尺寸失配作为掺杂团簇、电子不均匀性和强涡旋钉扎原因的重要性。
引用
@article{arxiv.1212.3240,
title = {Dopant Clustering, Electronic Inhomogeneity, and Vortex Pinning in Iron-Based Superconductors},
author = {Can-Li Song and Yi Yin and Martin Zech and Tess Williams and Michael Yee and Gen-Fu Chen and Jian-Lin Luo and Nan-Lin Wang and Eric. W. Hudson and Jennifer. E. Hoffman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.3240},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 5 figures, 1 table