幺正性是否意味着单圈电弱斜修正的有限性？——限制额外中性希格斯玻色子

我们在电弱对称性破缺部分引入任意数量的中性希格斯玻色子，推导出一组希格斯耦合条件，这些条件必须在树图阶维持弱规范玻色子高能散射振幅的幺正性（幺正性求和规则）。研究表明，幺正性求和规则要求树图阶 $\rho$ 参数为 1，而无需显式调用 custodial symmetry 论证。一旦在希格斯耦合中施加这些幺正性求和规则，电弱斜修正的单圈有限性便自动得到保证。我们从幺正性和电弱精度测试（斜参数测量）的结果中，获得了关于最轻希格斯耦合（125GeV 希格斯耦合）和第二轻希格斯玻色子质量的严格限制。将这些结果与轻希格斯玻色子的有效理论进行比较，我们发现我们框架中第二轻希格斯玻色子的质量与有效理论框架中的紫外截断之间存在简单的关系。