511 keV 多余射源是否解释异常的CMZ电离化？
高能天体物理现象
2026-03-17 v1 星系天体物理
高能物理 - 唯象学
摘要
中分子区（CMZ）观察到的分子电离率异常挑战了银河系各处分子云已知的电离机制，因为测得的电离水平显著高于宇宙射线能解释的水平，并且在CMZ内呈均匀的空间分布。最近的研究表明，511 keV 多余射的来源可能与该异常电离率相关联或在银河系中心（GC）的电离中发挥重要作用。一个主要假设将511 keV 信号归因于来自放射性同位素或脉冲星的正电子注入，这些来源遵循恒星盘的分布，因而可能有助于解释均匀的电离剖面。在本工作中，我们研究是否存在此类来源注入的MeV正电子——其速率与511 keV观察结果一致——能否解释CMZ中观察到的电离水平和分布。我们的结果表明，正电子注入本身不足以解释该异常，尽管其预期电离水平大于任何之前研究的候选者。
关键词
引用
@article{arxiv.2603.15114,
title = {Do the sources of the 511 keV excess explain the anomalous CMZ ionization?},
author = {Pedro De la Torre Luque and Francesca Calore},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.15114},
year = {2026}
}
备注
11 pages with an appendix, 4 figures in main text and 3 in appendix