亚GeV暗物质对中央分子区异常电离的影响
高能物理 - 唯象学
2025-03-19 v3 高能天体物理现象
摘要
我们证明，中央分子区观察到的异常电离率可归因于MeV级暗物质通过 成对湮灭。对于具有 斜率的银河暗物质轮廓，这种湮灭所需的低湮灭截面积能够避免宇宙学约束，并在射电、X射线和伽马射线中不会产生可检测的逆Compton、布雷姆斯拉斯或合成辐射。该现象与银河中心未解释的511 keV 线辐射源有可能相互关联，二者可能具有相同的起源。
引用
@article{arxiv.2409.07515,
title = {Anomalous Ionization in the Central Molecular Zone by sub-GeV Dark Matter},
author = {Pedro De la Torre Luque and Shyam Balaji and Joseph Silk},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.07515},
year = {2025}
}
备注
Contents matching published version: PRL. 134, 101001. Published 10 March, 2025. This includes supp. material too