几何阻挫 b-CaCr2O4 中静态无序与空穴掺杂的迥异效应
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
本文通过X射线粉末衍射、磁化率和比热测量，研究了几何阻挫 b-CaCr2O4 的镓取代和缺钙变体，即 b-CaCr2-2xGa2xO4 (0.02<= x<= 0.25) 和 b-Ca1-yCr2O4 (0.075<= y<= 0.15)。这使得能够在几何阻挫磁体中，直接比较由非磁性取代引起的静态无序与由空穴掺杂引起的动态无序的效应。在这两种情况下，扰动 Cr3+ 晶格都会导致磁阻挫程度的降低。在引入无序但不产生空穴的 Ga 取代中，观察到自旋从有序反铁磁态中逐渐释放。相反，在缺钙化合物中，空穴的引入诱发了静态亚铁磁有序，并对 b-CaCr2O4 基体产生了强得多的扰动。
引用
@article{arxiv.1004.1390,
title = {Divergent effects of static disorder and hole doping in geometrically frustrated b-CaCr2O4},
author = {S. E. Dutton and C. L. Broholm and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.1390},
year = {2015}
}
备注
23 pages, 10 figures