边缘磁等离子体激元输运的分布元件电路模型
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们报告了量子霍尔（QH）器件中边缘磁等离子体激元（EMP）输运的实验和理论研究。我们开发了一个模型，使我们能够计算各种几何形状的QH器件中EMP的输运系数。在我们的模型中，QH系统被描述为手性分布元件（CDE）电路，其中库仑相互作用的影响由沿单向传输线分布的电化学电容表示。我们通过单边缘通道和耦合边缘通道、量子点接触以及单腔和双腔结构测量了EMP输运系数。这些测量的传输谱可以通过使用相应的CDE电路进行模拟很好地再现。通过将实验结果与模拟拟合，我们推导出了表征实际QH系统中边缘通道周围静电环境的电路参数。在栅极定义结构中观察到的EMP输运特性的栅极电压依赖性可以通过CDE电路中电路参数的栅极调谐来解释。
引用
@article{arxiv.1309.0190,
title = {Distributed-element circuit model of edge magnetoplasmon transport},
author = {Masayuki Hashisaka and Hiroshi Kamata and Norio Kumada and Kazuhisa Washio and Ryuji Murata and Koji Muraki and Toshimasa Fujisawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.0190},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 12 figures