介观区域下电路 QED 的耗散动力学
量子物理
2008-04-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了当谐振器初始填充有介观相干场时，电路 QED 器件的行为。腔与量子比特之间的强耦合产生了一种涉及关于腔耗散的介观准指针态的纠缠态。相关场分量的重叠导致 Rabi 振荡的坍缩与复苏。虽然量子比特的弛豫和退相干不能保持这些态，但通过 Monte-Carlo 方法获得了包含腔弛豫以及量子比特耗散的电路 QED 器件耗散动力学的简单解析描述。推导出了自发和受激 Rabi 振荡信号的明确预测，并与精确计算成功进行了比较。我们表明，这些有趣的效应可以在未来的电路 QED 实验中通过 10 光子场观察到。
引用
@article{arxiv.0704.3489,
title = {Dissipative dynamics of circuit-QED in the mesoscopic regime},
author = {Valentin Bonzom and Hichem Bouzidi and Pascal Degiovanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.3489},
year = {2008}
}
备注
10 figures, 1 table