绝缘斯格明子化合物 Cu2OSeO3 中的耗散过程
强关联电子
2015-06-23 v1
摘要
我们利用高精度磁交流磁化率测量，对 Cu2OSeO3 斯格明子晶格 (SkL) 相周围的相图进行了详细研究。利用磁化率的虚部对 SkL 相周围的跃迁动力学进行的广泛调查表明，在圆锥相到 SkL 相的跃迁处存在一个具有复杂频率依赖性的宽耗散区域。对 SkL 相内观察到的行为的分析表明，弛豫时间的分布内在地与 SkL 相关。在 SkL 到顺磁体的跃迁处，发现了一个窄的一阶峰，该峰表现出强烈的频率和磁场依赖性。令人惊讶的是，在 SkL 相下方的一阶跃迁（即系统进入螺旋态和圆锥态之处）也发现了非常相似的依赖性，表明在有序 - 无序跃迁中存在相似的过程。
引用
@article{arxiv.1412.0739,
title = {Dissipation processes in the insulating skyrmion compound Cu2OSeO3},
author = {I. Levatić and V. Šurija and H. Berger and I. Živković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.0739},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in PRB