Dzyaloshinskii-Moriya相互作用对MRAM单元性能的破坏效应
介观与纳米尺度物理
2016-04-20 v1
摘要
为了提高磁随机存取存储器（MRAM）单元的热稳定性，通常在存储层中引入具有高自旋轨道相互作用的材料。作为副作用，此类系统中可能出现强烈的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）。本文利用微磁模拟研究了DMI对磁单元性能的影响。我们发现DMI强烈促进磁层的不均匀磁化态和非均匀翻转模式。它似乎对单元的热稳定性和其翻转电流均有害，即使对于中等大小的DMI幅度，也会导致单元性能显著恶化。
引用
@article{arxiv.1601.00598,
title = {Disruptive effect of Dzyaloshinskii-Moriya interaction on the MRAM cell performance},
author = {J. Sampaio and A. V. Khvalkovskiy and M. Kuteifan and M. Cubukcu and D. Apalkov and V. Lomakin and V. Cros and N. Reyren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00598},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures