无序诱导的电荷密度波长程序抑制：Pd插层ErTe3的STM研究
强关联电子
2020-01-01 v2
摘要
我们以Pd插层ErTe3作为双向双分量电荷密度波(CDW)态与无序相互作用的模型体系进行研究。利用扫描隧道显微镜(STM)，我们表明引入Pd插层原子（即无序）通过产生位错破坏了两种CDW态的长程序，这些位错似乎分别与各自的CDW相关联。在弱无序下，两种CDW态在整个样品中继续共存，不存在某一CDW方向的“畴”；而增加Pd浓度对次级CDW态有更强的影响，表现为更高的位错密度。两种不同CDW相的痕迹一直持续到插层水平远高于原始相变特征被完全抑制的程度。因此，本研究首次展示了通过位错增殖对多个二维强耦合CDW态的破坏。
引用
@article{arxiv.1901.03471,
title = {Disorder Induced Suppression of CDW Long Range Order: STM Study of Pd-intercalated ErTe3},
author = {Alan Fang and Joshua A. W. Straquadine and Ian R. Fisher and Steven A. Kivelson and Aharon Kapitulnik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.03471},
year = {2020}
}
备注
Includes Supplemental Material