氦注入钨中位错钉扎的分子动力学研究
材料科学
2023-04-28 v1 原子与分子团簇
摘要
使用分子动力学研究了钨中边缘位错与氦注入引起的缺陷之间的相互作用。继先前的研究之后，我们考虑了空位中含两个氦离子并与一个自间隙原子结合的缺陷 (He2V-SIA)。我们的观察表明，3-10 个 He2V-SIA 聚集在一起，它们对滑移位错的钉扎强度随尺寸增大而增加。对于所有尺寸的团簇，位错都会围绕团簇弯曲，直到其脱离钉扎，携带 SIA 并在其尾迹中留下氦-空位复合物和新产生的空位。残留的氦-空位复合物几乎没有钉扎效应，突显了缺陷清除过程。对于由 3000 appm 氦引起的不同尺寸团簇分布，发现总固溶硬化力约为 700 MPa。这与先前开发的模拟氦注入钨变形行为的晶体塑性模型中估计的 750 MPa 的相应值非常吻合。
引用
@article{arxiv.2304.14120,
title = {Dislocation Pinning in Helium-Implanted Tungsten: A Molecular Dynamics Study},
author = {Suchandrima Das and Andrea Sand and Felix Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.14120},
year = {2023}
}