多层纳米盘中 Néel 斯格明子的离散霍尔电阻率贡献
应用物理
2018-12-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
磁性斯格明子是纽结型准粒子。它们是非易失性数据存储的候选者，在非易失性数据存储中，信息在固定的读写终端之间移动。基于斯格明子的自旋电子器件的读出操作将依赖于对纳米结构内单个磁性斯格明子的电学检测。在此，我们展示了在室温下支持斯格明子的 Pt/Co/Ir 纳米盘。我们在使用磁性扫描透射 X 射线显微镜 (STXM) 对自旋织构成像的同时，测量了霍尔电阻率。霍尔电阻率与斯格明子的存在和大小均相关。将磁化强度在整个盘上进行平均时，依赖于尺寸的部分与预期的反常霍尔信号相匹配。我们观察到了一种仅取决于盘中存在的斯格明子类物体的数量和符号的电阻率贡献。无论其大小如何，每个斯格明子均产生 222 n cm 的贡献。在应用于基于斯格明子器件的全电学检测方案中，必须考虑这一贡献。
引用
@article{arxiv.1706.06024,
title = {Discrete Hall resistivity contribution from N\'{e}el skyrmions in multilayer nanodiscs},
author = {Katharina Zeissler and Simone Finizio and Kowsar Shahbazi and Jamie Massey and Fatma Al Ma`Mari and David M. Bracher and Armin Kleibert and Mark C. Rosamond and Edmund H. Linfield and Thomas A. Moore and Jörg Raabe and Gavin Burnell and Christopher H. Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.06024},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 3 figures