电子集体激发下对偏好暗物质的直接探测

一些新一代暗物质探测实验主要设计用于探测暗物质与电子的相互作用，但它们也可用于探测暗物质仅通过量子效应与核子耦合的模型。夸克环诱导的相互作用可以直接激发半导体中的等离子体，从而为探测偏好暗物质提供了额外的通道。本文研究了通过夸克环过程引发的提升暗物质和宇宙射线上散射暗物质在硅探测器中激发等离子体的情形。通过分析可用实验数据，我们推导出了偏好暗物质-核子散射截面数量的新的排除限。