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具有磁通捕获孔的超导谐振器中的介电表面损耗

超导电性 2017-01-11 v2

摘要

二能级系统(TLS)缺陷和磁涡旋的表面分布是超导量子电路中限制耗散的来源。磁通捕获孔阵列通常用于消除由磁涡旋引起的损耗,但可能会增加介电 TLS 损耗。我们发现,对于孔阵列从距谐振器边缘 2 μm\mu \text{m} 处开始的谐振器,其介电 TLS 损耗增加了约 25%,而距离更远的孔所增加的介电损耗低于测量灵敏度。其他形式的损耗不受孔的影响。此外,对于带有磁通陷阱图案并在高达 55 μT\mu\text{T} 磁场中运行的谐振器,我们估计由残余磁效应引起的损耗为 9×1010/μT9\times 10^{-10} /\mu\text{T}。这比性能最佳的超导共面波导谐振器的总损耗低几个数量级。

关键词

引用

@article{arxiv.1607.05841,
  title  = {Dielectric surface loss in superconducting resonators with flux-trapping holes},
  author = {B. Chiaro and A. Megrant and A. Dunsworth and Z. Chen and R. Barends and B. Campbell and Y. Chen and A. Fowler and I. C. Hoi and E. Jeffrey and J. Kelly and J. Mutus and C. Neill and P. J. J. O'Malley and C. Quintana and P. Roushan and D. Sank and A. Vainsencher and J. Wenner and T. C. White and John M. Martinis},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05841},
  year   = {2017}
}

备注

7 Pages, 4 Figures