自旋轨道耦合效应促进的扭曲MoS2双层中的介电响应

扭曲范德瓦尔斯双层为探索电子自旋与电荷自由度之间复杂的相互作用提供了理想的二维（2D）平台。通过研究具有两种不同堆叠但相同公度超胞尺寸的扭曲MoS2双层，我们揭示了该系统固有的一种异常介电响应行为。我们的第一性原理计算表明，施加面外电场会在电极化中产生不同的响应。进一步分析表明，这种介电响应源于与自旋轨道耦合（SOC）效应相关的平面电荷重新分布。其潜在机制在于，外部电场倾向于改变内部赝自旋织构$\sigma$，随后通过Rashba SOC产生面外（赝）自旋流$j_s \propto \sigma \times B_R$，作为对面内赝磁场$B_R$的响应。研究发现，对于两种不同的堆叠，产生的$j_s$方向相反，导致相反的面内电极化率。因此，通过这种非磁系统中的磁电耦合，产生了相反的电荷重新分布趋势，最终导致增强或抑制的介电响应。